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在25℃和预热800℃的情况下，电网代智电网研究了作为DED期间能量密度（El）的函数的Ti6Al4V粗化的β-晶粒尺寸（D）、晶粒粗化程度（m=D/D0）和晶粒粗化厚度（h）。尽管可以通过降低El和基材温度来抑制晶粒粗化，量发力但值得注意的是，量发力对优化参数的任何改变都可能导致缺陷（如孔隙率或熔合不良），并将牺牲沉积效率。
一方面，展现到目前为止，研究者已经在通过控制凝固过程来改变β晶粒方面做出了许多努力。25℃和800℃基材的平均D0分别为70μm和56μm，慧配荷调相应地，β-HAZ中的平均D分别为211μm和289μm。升负图1.基材经过El=217J/mm的DED之后的OM和重构的EBSD图：(a)25℃基材。
图2在25℃和预热的800℃基材的情况下，国家高质高效不同El的β晶粒的粗化。此外，电网代智电网当热处理期间的温度高于Tβ时也可能发生晶粒粗化。
值得注意的是，量发力在初始β-晶粒较小、激光能量密度较大和预热温度较高的情况下，晶粒粗化更加严重。
具体来说，展现当El等于425J/mm时，在25℃和800℃基材的两种情况下，D分别达到374μm和546μm，约为D0的4倍和9倍，相应的h也分别达到1160μm和4162μm。据记者了解，慧配荷调小米这两年一直在深耕人工智能电视领域。
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